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英特爾破解電漏晶片製程大突破

 

工商時報   / 林國賓/綜合外電報導

華爾街日報周二報導,全球晶片製造龍頭英特爾周二宣稱在改善先進製程晶片電漏的問題上有重大進展,將在下一世代(六五奈米)製程引進一個旨在追求省電表現的獨立製程,可有效減少漏電流因子。 報導指出,最新電腦晶片製程常有電晶體的電流漏電,進而減損電池壽命及產生過熱等問題,半導體產業主管警告,若不能有效改善此一問題,產業追求電路微小化的步調勢必會放緩,不利電子產業降低成本及經營績效。 英特爾周二宣布消息指出,該公司正為手機及筆記型電腦等可攜式產品晶片製程開發一個獨立的製程,可減少一○○○個漏電流因子。英特爾高層並表示,他們已開發出證明此一方法有效的原型晶片,但此項技術最快也要等到二○○七年初才會使用於商業產品的製造。 英特爾製程開發暨整合部門主管波爾指出:「我們在此一研究計畫上正獲得實質的成果。」 其他業者同樣致力於電漏問題的改善,德州儀器周一也宣布一項旨在減少電漏的SmartFlex技術,而一些分析師認為,包括德儀及飛思卡爾(Freescale)等晶片業者可能將仿效英特爾的方法。 更多新聞請看「 工商時報

資料來源 摘自:全球華文行銷知識庫

資料來源 :1758網誌

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